檢索結果：共9筆資料 檢索策略： "Ying-Sheng Huang".ecommittee (精準) and year="96"
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本論文成功使用熱化學氣相沉積法成長六角形排列之奈米碳管束陣列，並將氮原子摻雜於奈米碳管中增強其場電子發射特性。此論文中分別使用二種方法將氮原子摻雜於奈米碳管。(1)利用熱化學氣相沉積法成長奈米碳管時…
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本研究開發出全濺鍍鍍膜製程之矽晶粒定位薄膜電晶體，其中以室溫反應性脈衝直流磁控濺鍍法實現了7 MV/cm崩潰電場之氧化矽膜，利用退火後其固定電荷達1.95×1011 cm-2，介面陷阱密度為6.4×…
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成功的利用濺鍍法，配合蔽蔭遮罩沉積薄膜暨圖案化的方式，製作多晶矽薄膜電晶體於玻璃基板上，所製作的TFT On/Off電流比為103，Mobility為10 cm2/V-S， Threshold vo…
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本篇論文主要研究方向在使用以醋酸鋅為蒸發源的化學氣相沉積法製作氧化鋅薄膜。以不同的氣體當載氣（氧氣和氬氣）和控制不同成長溫度來製造氧化鋅薄膜於矽基板上。薄膜分析以掃描電子顯微鏡、X光繞射譜線、拉曼散…
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本研究以溶膠凝膠法開發磷玻璃溶液做為磷擴散源，經旋轉塗佈於polished單晶矽晶圓並高溫退火成功形成pn接面。所製作pn二極體之ideal factor為1.52。以此方式製作太陽電池，雖不具抗反…
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本論文主要是藉由離子佈植與熱氧化的方式在鋅箔上成長氧化鋅奈米針結構。改變不同離子佈植以及佈植時間的不同，探討其表面結構、場發射以及發光行為。實驗分析的結果顯示，氧化鋅奈米針的成長方向與鋅箔基板的晶粒…
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本研究探討以離子束濺鍍法，沉積摻鉺氧化鋅薄膜(Erbium-doped ZnO, EZO)之特性。我們以層狀方式沉積EZO薄膜，藉退火使鉺與氧化鋅混合。實驗中，成功的以325 nm之He-Cd雷射，…
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使用毛細式離子源濺鍍氧化鋅靶，沉積氧化鋅薄膜於晶向(100)矽基板上，隨後於氧與氮氣氛下退火，討論不同退火條件對氧化鋅薄膜特性之影響。 XRD顯示未退火之氧化鋅薄膜無任何繞射峰值，ZnO(002)繞…
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傳統以表面傳導電子發射原理所製作之顯示器是利用PdO薄膜在玻璃基板上形成一個奈米級的裂縫並藉由此裂縫產生穿遂電子和二次電子，並以此二次電子激發螢光粉。而此奈米級之裂縫太小，在製程上有其複雜度，為了改…